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透射電鏡全角度三維重構(gòu)樣品桿在搭載直徑3 mm銅網(wǎng)的傳統(tǒng)三維重構(gòu)樣品臺(tái)的基礎(chǔ)上延伸，采用彈頭的單軸旋轉(zhuǎn)方式進(jìn)行繞樣品臺(tái)全角度360°觀察，可以接受棒狀或圓錐形樣品。
掃描電鏡高溫原位系統(tǒng)通過MEMS芯片對(duì)樣品施加熱場(chǎng)控制，在原位樣品臺(tái)內(nèi)構(gòu)建熱場(chǎng)自動(dòng)控制及反饋測(cè)量系統(tǒng)，結(jié)合EDS、EBSD等多種不同模式，實(shí)現(xiàn)從納米甚至原子層面實(shí)時(shí)、動(dòng)態(tài)監(jiān)測(cè)樣品在真空環(huán)境下隨溫度變化產(chǎn)生的微觀結(jié)構(gòu)、相變、元素價(jià)態(tài)、微觀應(yīng)力以及表/界面處的原子級(jí)結(jié)構(gòu)和成分演化等關(guān)鍵信息。
透射電鏡高溫力學(xué)原位系統(tǒng)通過MEMS芯片在原位樣品臺(tái)內(nèi)構(gòu)建力、熱復(fù)合多場(chǎng)自動(dòng)控制及反饋測(cè)量系統(tǒng)，結(jié)合EDS、EELS、SAED、HRTEM、STEM等多種不同模式，實(shí)現(xiàn)從納米層面實(shí)時(shí)、動(dòng)態(tài)監(jiān)測(cè)樣品在真空環(huán)境下隨溫度、施加力變化產(chǎn)生的微觀結(jié)構(gòu)、相變、元素價(jià)態(tài)、微觀應(yīng)力以及表/界面處的結(jié)構(gòu)和成分演化等關(guān)鍵信息。
掃描電鏡高溫力學(xué)原位系統(tǒng)通過MEMS芯片在原位樣品臺(tái)內(nèi)構(gòu)建力、熱復(fù)合多場(chǎng)自動(dòng)控制及反 饋測(cè)量系統(tǒng)，結(jié)合EDS、EBSD等多種不同模式，實(shí)現(xiàn)從納米層面實(shí) 時(shí)、動(dòng)態(tài)監(jiān)測(cè)樣品在真空環(huán)境下隨溫度、施加力變化產(chǎn)生的微觀結(jié)構(gòu) 演化、相變、元素價(jià)態(tài)、微觀應(yīng)力以及表/界面處的結(jié)構(gòu)和成分演化等 關(guān)鍵信息。
透射電鏡氣體高溫原位系統(tǒng)通過MEMS芯片對(duì)樣品施加熱場(chǎng)控制，結(jié)合EDS、EELS、SAED、HRTEM、STEM等多種不同模式，實(shí)現(xiàn)從納米甚至原子層面實(shí)時(shí)、動(dòng)態(tài)監(jiān)測(cè)樣品在氣體環(huán)境下隨溫度變化產(chǎn)生的微觀結(jié)構(gòu)演化、反應(yīng)動(dòng)力學(xué)、相變、元素價(jià)態(tài)、化學(xué)變化、微觀應(yīng)力以及表/界面處的原子級(jí)結(jié)構(gòu)和成分演化等關(guān)鍵信息。
掃描電鏡電制冷版冷凍系統(tǒng)是在標(biāo)準(zhǔn)樣品臺(tái)的基礎(chǔ)上設(shè)計(jì)冷凍模塊、PID溫控模塊及冷卻循環(huán)模塊，無(wú)需改造電鏡，在掃描電鏡內(nèi)實(shí)現(xiàn)對(duì)樣品冷凍，大大減緩了樣品水分的蒸發(fā)，使長(zhǎng)時(shí)間在電鏡中觀察含水樣品的結(jié)構(gòu)成為可能。通過外接法蘭裝置實(shí)現(xiàn)對(duì)冷臺(tái)上的樣品進(jìn)行數(shù)顯控溫，穩(wěn)定后溫度波動(dòng)小于±0.1℃。
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